سامسونگ، اگزینوس ۲۶۰۰ را فراتر از یک چیپست اصلی برای گوشیهای پرچمدار بعدی خود قرار میدهد. این تراشه همچنین به عنوان اولین نمایش بزرگ سامسونگ از فرآیند ۲ نانومتری خود عمل میکند، که این شرکت امیدوار است به بازگشت مشتریان عمده به تجارت ریختهگری خود کمک کند. پس از تلاش برای به دست آوردن سفارشات معنادار ۳ نانومتری، سامسونگ به اگزینوس ۲۶۰۰ تکیه میکند تا ثابت کند که گره جدیدش میتواند عملکرد پایدار و راندمان بهتری را ارائه دهد.
گزارش جدیدی از کره جنوبی میگوید که سامسونگ یک روش خنککننده برای Exynos 2600 معرفی کرده است که توجه اپل و کوالکام را به خود جلب کرده است. هر دو شرکت برای تراشههای موبایل و دسکتاپ اخیر خود به TSMC متکی بودهاند، عمدتاً به این دلیل که چیپستهای پرچمدار قبلی سامسونگ با مشکلات حرارتی و پایداری مداوم روبرو بودند. سامسونگ اکنون ادعا میکند که این نگرانیها را با یک روش بستهبندی به نام فناوری Heat Path Block برطرف کرده است.
طراحی Heat Path Block از یک هیت سینک مسی استفاده میکند که مستقیماً در بالای AP موبایل قرار میگیرد. برای فعال کردن این طرح، سامسونگ DRAM را به جای قرار دادن آن در بالای تراشه، به کنار پردازنده منتقل کرد. این امر باعث میشود هیتسینک مستقیماً با تراشه اصلی در تماس باشد و به گرما اجازه میدهد سریعتر از بستهبندی خارج شود. طبق گزارش، آزمایشهای داخلی تا ۳۰ درصد بهبود در انتقال حرارت در مقایسه با نسل قبلی اگزینوس را نشان میدهد.
سامسونگ بیشتر تقاضای ۳ نانومتری را از دست داد زیرا فرآیند اولیه آن اعتماد مشتریان رده بالا را جلب نکرد. این شرکت اکنون با عرضه ۲ نانومتری خود محتاطتر است، اما معتقد است که این گره شانس بهتری برای رقابت با TSMC دارد. سامسونگ انتظار دارد که اگزینوس ۲۶۰۰ به عنوان اولین نمایش واقعی از آنچه خط ۲ نانومتری آن میتواند در یک دستگاه مصرفی به دست آورد، عمل کند.
اگر اگزینوس ۲۶۰۰ به دستاوردهای حرارتی و عملکردی مورد نظر سامسونگ دست یابد، میتواند به این شرکت کمک کند تا اعتماد طراحان اصلی تراشه را دوباره به دست آورد. این نتیجه برای سامسونگ مهم خواهد بود زیرا به دنبال تضمین سفارشات ۲ نانومتری آینده و تثبیت مجدد خود به عنوان یک جایگزین رقابتی برای TSMC در تولید تراشههای پیشرفته است.
