سامسونگ هنوز تراشه پرچم‌دار سال ۲۰۲۷ خود را معرفی نکرده است، اما طبق گزارش‌های جدید، تولید انبوه اگزینوس ۲۷۰۰ آغاز شده است. به گفته افشاگر معروف، آیس یونیورس، سامسونگ الکترونیکس حدود ۱۰ درصد تراشه بیشتری نسبت به نسل قبلی تولید می‌کند.
این ادعا با گزارش‌های قبلی درباره آغاز تولید این تراشه در نیمه دوم سال ۲۰۲۶ همخوانی دارد. انتظار می‌رود اگزینوس ۲۷۰۰ برای نخستین بار در سری گلکسی S27 استفاده شود و بر پایه نسل دوم فناوری ساخت ۲ نانومتری سامسونگ موسوم به SF2P ساخته خواهد شد. گفته می‌شود این تراشه در مقایسه با نسل قبلی، ۱۲ درصد عملکرد بالاتری ارائه می‌دهد و مصرف انرژی آن نیز ۲۵ درصد کمتر خواهد بود.
اگزینوس ۲۷۰۰؛ آنچه تاکنون می‌دانیم
گزارش‌ها حاکی از آن هستند که اگزینوس ۲۷۰۰ نخستین تراشه سامسونگ خواهد بود که از فناوری بسته‌بندی FOWLP-SbS استفاده می‌کند. این فناوری مخفف Fan-Out Wafer-Level Side-by-Side است. در این روش، پردازنده و حافظه در کنار یکدیگر و زیر یک بلوک انتقال حرارت مبتنی بر مس قرار می‌گیرند. در نتیجه، یک قطعه فلزی می‌تواند گرما را هم از پردازنده اصلی و هم از حافظه رم دور کند.
گفته می‌شود سامسونگ این روش را نسبت به اگزینوس ۲۶۰۰ کارآمدتر می‌داند؛ در اگزینوس ۲۶۰۰، هیت‌سینک مستقیماً با تراشه در تماس بود.
از نظر ساختار هسته‌ها، ظاهراً پردازنده مرکزی اگزینوس ۲۷۰۰ از ۱۰ هسته در قالب دو خوشه اصلی تشکیل می‌شود:
- خوشه اول: یک هسته قدرتمند Arm C1-Ultra با فرکانس ۳.۳۶ گیگاهرتز و چهار هسته C1-Pro با فرکانس ۲.۸۸ گیگاهرتز. این مجموعه برای پردازش‌های مداوم و وظایف کم‌مصرف در نظر گرفته شده است.
- خوشه دوم: یک هسته C2-Ultra با فرکانس ۴.۲۴ گیگاهرتز و چهار هسته C2-Pro با فرکانس ۳.۷۴ گیگاهرتز.
در بخش گرافیکی، سامسونگ احتمالاً از Xclipse ۹۷۰ استفاده خواهد کرد که بر پایه معماری RDNA ۵ شرکت AMD ساخته شده است. این پردازنده گرافیکی ۱۶ واحد محاسباتی خواهد داشت و انتظار می‌رود عملکرد گرافیکی آن بین ۳۰ تا ۴۰ درصد افزایش پیدا کند.
در بخش حافظه نیز این تراشه از رم LPDDR6 و حافظه داخلی UFS ۵.۰ پشتیبانی خواهد کرد که می‌تواند سرعت انتقال داده‌ها را افزایش دهد.
سامسونگ هنوز هیچ‌یک از این مشخصات را تأیید نکرده است؛ بنابراین تا زمان انتشار اطلاعات رسمی، باید این جزئیات را تأییدنشده و در حد شایعه در نظر گرفت.
