سامسونگ تولید تراشه حافظه هوش مصنوعی نسل بعدی خود را از سال ۲۰۲۶ آغاز خواهد کرد

سامسونگ تولید تراشه حافظه هوش مصنوعی نسل بعدی خود را از سال ۲۰۲۶ آغاز خواهد کرد
سامسونگ تولید تراشه حافظه هوش مصنوعی نسل بعدی خود را از سال ۲۰۲۶ آغاز خواهد کرد

طبق گزارش‌ها، سامسونگ و SK Hynix در حال آماده شدن برای شروع تولید انبوه تراشه‌های حافظه با پهنای باند بالا (HBM) نسل ششم خود در سال آینده هستند. این تراشه حافظه که HBM4 نام دارد، جدیدترین تراشه حافظه است که به صورت سفارشی برای حجم کاری هوش مصنوعی (AI) ساخته شده و عملکرد و قابلیت سفارشی‌سازی قابل توجهی را به همراه دارد. طبق این گزارش، تلاش‌های سامسونگ برای تولید این تراشه‌ها ابتدا در فوریه ۲۰۲۶ آغاز خواهد شد و گفته می‌شود SK Hynix تولید آن را در سپتامبر ۲۰۲۶ به پایان خواهد رساند. نکته قابل توجه این است که طبق گزارش‌ها، بیشتر این تراشه‌ها در سیستم شتاب‌دهنده هوش مصنوعی Vera Rubin انویدیا استفاده خواهند شد.

به گفته SEDaily، هر دو غول نیمه‌هادی، تولید انبوه تراشه‌های حافظه هوش مصنوعی HBM4 را آغاز خواهند کرد. انتظار نمی‌رود میکرون و سایر بازیگران این صنعت، ساخت این تراشه‌ها را در سال ۲۰۲۶ آغاز کنند، که می‌تواند به سامسونگ و SK Hynix در ایجاد شکاف بیشتر از بقیه بازار کمک کند. حتی در بین این دو، چرخه تولید سامسونگ طبق گزارش‌ها قبل از SK، در فوریه، آغاز خواهد شد.

سامسونگ تولید تراشه حافظه هوش مصنوعی نسل بعدی خود را از سال ۲۰۲۶ آغاز خواهد کرد
سامسونگ تولید تراشه حافظه هوش مصنوعی نسل بعدی خود را از سال ۲۰۲۶ آغاز خواهد کرد

جالب اینجاست که بعید است تراشه‌های حافظه جدید در بازار مصرف در دسترس قرار گیرند. در عوض، هر دو شرکت قراردادهای جداگانه‌ای با انویدیا برای ارائه HBM4 برای شتاب‌دهنده هوش مصنوعی خود، Vera Rubin، دارند. اخیراً گزارشی از SamMobile ادعا کرده بود که سامسونگ آزمایش‌های کیفیت انویدیا را پشت سر گذاشته و واجد شرایط تأمین تراشه‌های مورد نیاز است.

از سوی دیگر، گفته می‌شود SK Hynix با TSMC همکاری می‌کند تا یک فرآیند منطقی ۱۲ نانومتری را برای قالب پایه اتخاذ کند که به عنوان مغز HBM4 عمل خواهد کرد. سامسونگ برای همین کار از یک فرآیند منطقی ۱۰ نانومتری استفاده می‌کند. طبق گزارش‌ها، این تراشه حافظه دو برابر پهنای باند و تقریباً ۴۰ درصد افزایش بهره‌وری انرژی را ارائه می‌دهد. طبق گزارش‌ها، HBM4 همچنین قابلیت سفارشی‌سازی با محصولات هوش مصنوعی و غیر هوش مصنوعی را به ارمغان می‌آورد و ادغام بهتری با چیپست‌ها ارائه می‌دهد.

با تمرکز بر حجم تولید، گفته می‌شود تولید ماهانه DRAM سامسونگ با ۶۵۰ هزار واحد، از ۵۵۰ هزار واحد SK Hynix فراتر رفته است. طبق گزارش‌ها، همین شکاف در تولید تراشه‌های HBM نیز مشاهده می‌شود، به طوری که سامسونگ با اختلاف نزدیک به ۱۰،۰۰۰ واحد در ماه (۱۷۰،۰۰۰ در مقابل ۱۶۰،۰۰۰ واحد) از SK پیشی گرفته است.

با وجود تولید انبوه، گفته می‌شود که بازار مصرف‌کننده از این موضوع سودی نخواهد برد، زیرا طبق گزارش‌ها، ظرفیت‌های HBM سال آینده سامسونگ و SK Hynix توسط شرکت‌های هوش مصنوعی رزرو شده است. این بدان معناست که کمبود مداوم رم احتمالاً در طول سال ۲۰۲۶ ادامه خواهد یافت.

مهتاب جهاندار
فارغ‌التحصیل نرم‌افزار و علاقه‌مند به دنیای موبایل هستم. با عشق به تکنولوژی، اخبار و بررسی‌های گوشی‌های هوشمند را می‌نویسم تا به شما در انتخاب بهترین‌ها کمک کنم.