جزئیات جدید از تراشه اسنپدراگون ۸ الیت جن ۶ پرو کوالکام با فناوری خنک‌کننده سامسونگ

جزئیات جدید از تراشه اسنپدراگون ۸ الیت جن ۶ پرو کوالکام با فناوری خنک‌کننده سامسونگ

نسخه اولیه‌ای از تراشه رده‌بالای اسنپدراگون ۸ الیت جن ۶ پرو کوالکام که بر پایه لیتوگرافی ۲ نانومتری توسعه یافته است، به طور موقت در پلتفرم چینی شیانیو مشاهده شد و مشخصات فنی تازه‌ای از آن پیش از عرضه رسمی در معرض دید عموم قرار گرفت.

نمونه‌های مهندسی و جزئیات بسته‌بندی

تصاویر فاش‌شده نشان‌دهنده دو نمونه مهندسی از این پردازنده با کد شناسایی SM8975-۱۰۰-BC هستند که از حافظه رم LPDDR5X پشتیبانی می‌کنند و شماره‌سریال‌های آن‌ها زمان‌بندی مونتاژ تراشه‌ها را مشخص می‌کند. یکی از این تراشه‌ها دارای کد دسته‌ای FC5528M5 است که به مونتاژ آن در کارخانه آمکور کره جنوبی با استفاده از فناوری ۲ نانومتری تی‌اس‌ام‌سی در اواخر دسامبر ۲۰۲۵ اشاره دارد. نمونه دوم نیز با کد FX602R8T نشان می‌دهد که عملیات بسته‌بندی آن در هفته دوم سال ۲۰۲۶ میلادی انجام گرفته است.

تراشه اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۶ پرو با سیستم خنک‌کننده جدید HPB به سبک سامسونگ پدیدار شد

فناوری دفع حرارت الهام‌گرفته از سامسونگ

بر اساس تصاویر منتشرشده، یک طراحی نوین برای دفع حرارت در داخل بسته‌بندی این تراشه به کار رفته است. گزارش‌ها حاکی از آن است که کوالکام راهکار خنک‌کننده‌ای مشابه فناوری «HPB» یا همان بلوک لوله حرارتی سامسونگ را که پیش‌تر در تراشه اگزینوس ۲۶۰۰ دیده شده بود، به خدمت گرفته است. این بلوک میان دای پردازنده و درپوش بسته‌بندی قرار می‌گیرد تا مدیریت حرارتی به شکل بهتری انجام پذیرد.

این رویداد نخستین تایید بصری از به‌کارگیری روش درون‌تراشه‌ای سامسونگ توسط کوالکام در سطح بسته‌بندی محسوب می‌شود که هدف آن کنترل بارهای حرارتی ناشی از پردازنده‌های پیشرفته است.

تراشه اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۶ پرو با سیستم خنک‌کننده جدید HPB به سبک سامسونگ پدیدار شد

پشتیبانی از حافظه و ابعاد بسته‌بندی

تراشه جدید اسنپدراگون از استانداردهای حافظه LPDDR6 و LPDDR5X پشتیبانی می‌کند. نمونه مجهز به حافظه LPDDR6 از بسته‌بندی بزرگ‌تر FBGA با ۱۲۹۵ پین استفاده می‌کند، در حالی که نسخه سازگار با LPDDR5X در یک بسته‌بندی FBGA با ۴۹۶ پین جای می‌گیرد.

هر دو نوع بسته‌بندی فضای فیزیکی کمتری را روی سطح تراشه برای بلوک خنک‌کننده در مقایسه با تراشه اگزینوس ۲۶۰۰ سامسونگ فراهم می‌کنند که از بسته‌بندی ۵۶۳ پینی برای حافظه LPDDR5X بهره می‌برد.

تراشه اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۶ پرو با سیستم خنک‌کننده جدید HPB به سبک سامسونگ پدیدار شد

چشم‌انداز آینده پرچمداران اندرویدی

این افشاگری گامی مهم از سوی کوالکام در جهت ارتقای بهره‌وری انرژی و ارائه راهکارهای حرارتی بهینه برای نسل بعدی تراشه‌های پرچمدار به شمار می‌رود. ترکیب فناوری ساخت ۲ نانومتری و سیستم خنک‌کننده ارتقایافته می‌تواند پایداری و عملکرد دستگاه‌های آینده، از جمله محصولات شیائومی و سایر سازندگان اندرویدی را بهبود ببخشد.

پردازنده اسنپدراگون ۸ الیت جن ۶ پرو به عنوان قدرتمندترین تراشه اندرویدی برای بازه زمانی اواخر ۲۰۲۵ و اوایل ۲۰۲۶ میلادی در نظر گرفته شده است و محصولات شیائومی احتمالا جزو نخستین میزبانان آن خواهند بود.

خلاصه

افشای مشخصات نسخه پرو اسنپدراگون ۸ الیت جن ۶ اطلاعات ارزشمندی درباره معماری ۲ نانومتری و سیستم خنک‌کننده الهام‌گرفته از سامسونگ در اختیار کارشناسان قرار داده است که نویدبخش پیشرفت‌های چشمگیر در نسل بعدی گوشی‌های هوشمند پرچمدار است.

Avatar
دانشجوی طراحی صنعتی هستم و به طراحی گوشی‌های هوشمند، رابط کاربری و تجربه کاربری علاقه دارم. بررسی محصولات جدید را با دیدگاه طراحی دنبال می‌کنم.